Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра
Клюй Н.И.1, Липтуга А.И.1, Лозинский В.Б.1, Лукьянов А.Н.1, Оксанич А.П.1, Тербан В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины, Киев Кременчугский государственный университет им. Михаила Остроградского, Украина ОАО "Силикон", Светловодск, Украина
Email: klyui@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 7 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.
Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1-1.5 mum позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4-15 mum, причем предварительная обработка в плазме H+ или Ar+ увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра.
- Moss T.S., Burrell G.J., Ellis B. Semiconductor Opto-Electronics. Butterworth\& Co (Publishers) Ltd, 1973
- Palik E.D. Handbook of Optical Constants in Solids. Academic Press, 1985
- Hilton Sr., A.R. // Proc. SPIE. 1990. V. 1307. P. 516
- Klibanov L., Croitoru N., Seidman A., Gilo M., Dahan R. // Opt. Eng. 2000. V. 39. N 4. P. 989
- Klyui N.I., Piryatinskii Yu.P., Semenovich V.A. // Materials Lett. 1998. V. 35. P. 334
- Nagashima M., Wada H. // IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. 2007. V. 127. N 7. P. 375
- Sizov F.F., Klyui N.I., Lukyanov A.N., Savkina R.K., Smirnov A.B., Evmenova A.Z. // Tech. Phys. Lett. 2008. V. 34. N 5. P. 377
- Klyui N.I., Litovchenko V.G., Lukyanov A.N., Neselevskaya L., Sarikov A.V. // Tech. Phys. 2006. V. 51. N 5. P. 654
- Смирнов Л.С. (ред.). Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977
- Pincik E., Jergel M., Falcony C., Ortega L., Ivanco J., Brunner R., Kucera M. // Thin Solid Films. 2003. V. 433. P. 108
- Augelli V., Ligonzo T., Minafra A., Schiavulli L., Capozi V., Perna G., Ambrico M., Losurdo M. // J. Luminescence. 2003. V. 102--103. P. 519
- Surdu-Bov C.C., Sullivan J.L., Saied S.O., Layberry R., Aflori M. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 202. P. 183
- Liu H., Sun W., Hao Q., Wang H., Liu C. // J. Alloys and Compounds. 2009. V. 475. P. 923
- Markov A.V., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Bolsheva Y.N., Govorkov A.V., Sharonov B.N. // Solid-State Electronics. 2002. V. 46. P. 269
- Ristein J., Stief R.T., Ley L., Beyer W. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 3836
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
