Моделирование электрических характеристик туннельных структур металл-диэлектрик-полупроводник сферической формы
Векслер М.И.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Теоретически рассмотрены распределение потенциала и вольт-амперные характеристики туннельной структуры металл-диэлектрик-полупроводник в сферической геометрии. Показано, что из-за эффекта геометрии распределение напряжения, а значит, и туннельные токи претерпевают значительные изменения по сравнению с планарным случаем. Во многих деталях сферическая структура ведет себя как планарная, выполненная на более сильно легированной подложке.
- Roy K., Mukhopadhyay S., Mahmood-Meimand H. // Proc. IEEE. 2003. V. 91. N 2. P. 305--327
- Aderstedt E., Medugorac I., Lundgren P. // Solid-State Electron. 2002. V. 46. N 4. P. 497--500
- Balestra F. (ed.). Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization. Chapt. 7. Wiley-ISTE, 2010. 544 p
- Feenstra R.M. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. V. 21. N 5. P. 2080--2088
- Андрюшин Е.А., Быков А.А. // УФН. 1988. Т. 154. В. 1. С. 123--132
- Болотов Л.Н., Макаренко И.В., Титков А.Н., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. // ФТТ. 1996. Т. 38. В. 3. С. 889--900
- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985. 416 с
- Vexler M.I., Tyaginov S.E., Shulekin A.F. // J. Phys.: Condens. Matter. 2005. V. 17. N 50. P. 8057--8068
- Hurkx G.A.M., Klaassen D.B.M., Knuvers M.P.G. // IEEE Trans. Electron Dev. 1992. V. 39. N 2. P. 331--338
- Schmidt P., Berndt R., Vexler M.I. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 246 103.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.