Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5-4.8 mum на основе гетероструктур InAs/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
Старостенко Д.А.1, Шерстнев В.В.1, Алексеев П.А.1, Андреев И.А.1, Ильинская Н.Д.1, Коновалов Г.Г.1, Серебренникова О.Ю.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: igor@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/ InAs0.88Sb0.12/InAsSbP с фоточувствительной площадкой 0.45x 0.45 mm2 и граничной длиной волны 4.9 mum, работающие при комнатной температуре. Отличительной особенностью фотодиодов является расширенный диапазон спектральной чувствительности (lambda=1.5-4.8 mum) с токовой монохроматической чувствительностью 0.5-0.8 A/W и плотностью обратных темновых токов 1.0-1.5 A/cm2 при напряжении обратного смещения 0.2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 20-100 Omega, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (1-2)· 108 cm· Hz1/2· W-1.
- Carter B.L., Shaw E., Olesberg J.T. et al. // Electronics Lett. 2000. V. 36. N 15. P. 1301
- Mikhailova M., Stoyanov N., Andreev I. et al. // SPIE Proc. 2007. V. 6585. P. 658526-1
- Troy T.L., Thennadil S.N. // J. Biomedical Optics. 2001. V. 6. N 2. P. 167
- Hitran. Web site http:// www.cfa.harvard.edu/hitran/
- Шерстнев В.В., Старостенко Д.А., Андреев И.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 1. С. 11--17
- Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 3. С. 412--417
- Фотодиод PD45Sc на сайте www.mirdog.spb.ru
- Jones R.C. // Advances in Electronics. NY: Academic, 1953. V. 5. P. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
