Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодах под действием прямого тока
Иванов А.М.1,2, Левинштейн М.Е.1,2, Palmour J.W.1,2, Agarwal A.K.1,2, Das M.K.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Email: melev@nimis.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Исследованы DLTS-спектры высоковольтных карбид-кремниевых диодов политипа 4H-SiC. Обнаружено, что в результате протекания прямого тока в базе диодов активируется центр с глубиной залегания Ec-0.2 eV и сечением захвата электронов sigman~ 2.0· 10-15 cm2. DLTS-измерения обнаруживают появление этого центра при очень малых значениях протекшего через диод заряда, в условиях, когда прямое падение напряжения на диодах практически не меняется. Обсуждается возможная природа обнаруженного явления.
- Иванов П., Левинштейн М., Мнацаканов Т., Palmour J., Agarwal A. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 897
- Agarwal A., Fatima H., Haney S., Ryu S.-H. // IEEE Electron Dev. Lett. 2007. Т. 28. С. 587
- Farese L., Malm G., Domeij M., Ostling M. // Material Science Forum. 2010. Т. 645--648. С. 1037--1040
- Skowronski M., Hab S. // J. Appl. Phys. 2006. Т. 99. С. 011101
- Galeckas A., Hallen A., Majdi S., Linnros J., Pirouz P. // Phys. Rev. B. 2006. T. 74. С. 233203
- Nakayama K., Sugawara Y., Tsuchida H., Miyanagi T., Kamata I., Nakamura T., Asano K., Ishii R. // Material Science Forum. 2005. T. 483--485. С. 969--972
- Gossik B. // J. Appl. Phys. 1956. Т. 27. С. 905--912
- Schlangenotto H., Gerlach W. // Solid-State Electron. 1972. T. 15. С. 393--399
- Anikin M., Lebedev A., Syrkin A., Suvorov A. // Sov. Phys. Semiconductors. 1985. T. 15. С. 69--71
- Lebedev A. // SiC Materials and Devices. V. 2. World Scientific Pub. Company, Singapore--New Jersey--London--Hong Kong, 2007
- Lebedev A.A., Veinger A.I., Davydov D.V., Strel'chuk A.M., Kozlovskii V.V., Savkina N.S. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 6265--6271
- Hemmingsson C.G., Son N.T., Janzen E. // Appl. Phys. Lett. 1999. Т. 24. С. 839--841
- Watkins G.D., Troxell J.R. // Phys. Rev. Lett. 1980. Т. 24. С. 593--595.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
