Вышедшие номера
Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями
Юрасов Д.В.1, Дроздов М.Н.1, Мурель А.В.1, Новиков А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Inquisitor@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 2 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Предложен оригинальный метод управляемого легирования Si сегрегирующими примесями. Подход основан на быстром изменении температуры роста при молекулярно-пучковой эпитаксии структур между режимами кинетически ограниченной сегрегации и максимальной сегрегации примеси. На примере сурьмы продемонстрировано, что с помощью предлагаемого метода возможно получение селективно-легированных слоев кремния толщиной в несколько нанометров, в которых изменение объемной концентрации примеси на порядок достигается на масштабах 2-3 nm.