Ступенчатые осцилляции тока в туннельных и высокочастотных диодах
Алиев К.М.1, Камилов И.К.1, Ибрагимов Х.О.1, Абакарова Н.С.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Email: abakarova_naida@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Экспериментально исследован отклик туннельных и высокочастотных диодов на внешний гармонический сигнал большой амплитуды. На вольт-амперных характеристиках, измеренных на постоянном токе при наложении внешнего высокочастотного сигнала, обнаружены ступенчатые осцилляции тока, частота которых уменьшается с ростом частоты внешнего сигнала. Приведены аналоги механизма возникновения ступенчатых осцилляций тока в полупроводниковых и других структурах.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 1399
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. B. 1. С. 42
- Aliev K.M., Kamilov I.K., Ibragimov Kh.O., Abakarova N.S. // Sol. St. Comm. 2008. V. 148. P. 171
- Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 517
- Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. // ЖТФ. 2011. Т. 81. С. 141
- Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., 1965
- Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М., 1991
- Josephson B.D. // Phys. Lett. 1962. V. 1. P. 251; Rev. Mod. Phys. 1964. V. 36. P. 221
- Shapiro S. // Phys. Rev. Lett. 1963. V. 11. P. 80
- Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М., 2000
- Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Новосибирск, 2000
- Лихарев К.К. // УФН. 1979. Т. 127. С. 185
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.