Вышедшие номера
Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Рожавская М.М.1, Трошков С.И.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Исследованы особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах. Показано, что с уменьшением потока аммиака увеличивается ширина кристаллитов, а при самых малых исследованных потоках - уменьшается их высота. В результате в дополнение к обычным для таких объектов граням 1101, начинают формироваться грани (0001) и 1100. Обнаружены эффекты подавления роста части кристаллитов при начале их срастания и подавления селективного роста вблизи больших немаскированных поверхностей.