Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость скорости поверхностной генерации на границе раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло от условий формирования области неравновесного обеднения
Парчинский П.Б.1, Насиров А.А.1, Лигай Л.Г.1, Алламбергенов М.М.1, Исмайлов К.А.1
1Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан 
Email: pavelphys@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
Методом изотермической релаксации емкости МДП-структуры исследованы генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. Обнаружено, что эффективная скорость поверхностной генерации зависит от амплитуды импульса инверсионного напряжения, выводящего структуру из состояния равновесия. Показано, что обнаруженная зависимость может быть обусловлена инжекцией носителей заряда через границу раздела кремний-стекло с их последующей локализацией на ловушечных центрах в приповерхностной области стекла.
- Shimbo M., Furukava K., Tanzava K., Fukada K. // Sol. St. Science and Technology. 1987. V. 134. N 1. P. 156--160
- Flowers P.L. // J. Elektrochev. Soc. 1981. V. 128. N 10. P. 2179--2183
- Shimbo M., Furukava K., Tanzava K., Higuchi T. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1988. V. ED 35. N 1. P. 124--128
- Власов С.И., Овсянников А.В., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 7. С. 41--45
- Власов С.И., Адылов Т.П., Эргашева М. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 10. С. 83--87
- Власов С.И., Парчинский П.Б., Олматов Б.А. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. N 5. С. 608--610
- Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
- Kang J.S., Schroder D.K. // Phys. St. Sol. (A). 1985. V. 89. N 13. P. 13--44
- Zerbst M. // Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. N 1. P. 30--33
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 428--437
- Гольдман Е.И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 2. С. 269--276
- Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 9. С. 65--72
- Власов С.И., Парчинский П.Б., Тургунов У.Т. // Неорганические материалы. 2002. Т. 38. N 6. С. 750--754
- Власов С.И., Парчинский П.Б., Лигай Л.Г. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. N 2. С. 121--123
- Парчинский П.Б., Лигай Л.Г., Мансуров Х.Ж., Йулчиев Ш.Х. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 7. С. 40--44
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. (Пер. с англ. Sze S.M. Physics of Semiconductors Devices. New York: John Wiley \& Sons, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
