Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 24 » Статья стр. 33
<<<>>>
Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
Лундин В.В.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Брунков П.Н.1, Заварин Е.Е.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
PDF версия
Проведено исследование роста AlN на полупромышленной МОС-гидридной установке AIX2000HT. Продемонстрировано, что зависимость скорости роста от потока аммиака носит пороговый характер, что обусловлено возникновением паразитных реакций в газовой фазе. При оптимизированных режимах эпитаксиального роста продемонстрирована возможность выращивания AlN в планетарном реакторе со скоростью до 8.6 mum/h.
  1. Алексеев А.Н., Александров C.Б., Бырназ А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. T. 34. В. 7. С. 58
  2. Алексеев А.Н., Александров C.Б., Бырназ А.Э. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 16. С. 65
  3. Pernot C., Kim M., Fukahori Sh. et al. // Appl. Phys. Express. 2010. V. 3(6). P. 061004
  4. Вольфсон А.А., Мохов Е.Н. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 10. С. 1430
  5. Чемекова Т.Ю., Авдеев О.В., Нагалюк C.С., Мохов Е.Н., Макаров Ю.Н. // 7-я Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". Москва, 1--3 февраля 2010. Тез. докл. С. 25
  6. Soukhoveev V., Volkova A., Ivantsov V. et al. // Physica Status Solidi (C). 2009. V. 6. Issue S2. P. S333--S335
  7. Kondratyev A.V., Talalaev R.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsul'nikov A.F., Zavarin E.E., Fomin A.V., Sizov D.S. // J. Crystal Growth. 2004. V. 272. P. 420--425
  8. Zhao D.G., Zhu J.J., Jiang D.S. et al. // J. Crystal Growth. 2006. V. 289. P. 72--75
  9. Kakanakova-Georgieva A., Ciechonski R.R., Forsberg U. et al. // Crystal Growth \& Design. 2009. V. 9. N 2. P. 880
  10. Fujimoto N., Kitano T., Narita G. et al. // Phys. Stat. Sol. (C). 2006. V. 3. N 6. P. 1617--1619
  11. Gherasimova M., Gui G., Ren Z. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. P. 2921
  12. Amano C., Tateno K., Takenouchi H., Ohiso Y. // J. Crystal Growth. 1998. V. 193. P. 460--469

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme