"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe
Мынбаев К.Д.1,2, Баженов Н.Л.1,2, Иванов-Омский В.И.1,2, Шиляев А.В.1,2, Варавин В.С.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Дворецкий С.А.1,2, Сидоров Ю.Г.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наногетероструктур CdxHg1-xTe/ CdyHg1-yTe, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ширина потенциальных ям в структурах варьировалась от 12 до 200 nm при составе в яме x~ 0.25-0.40 и в барьерных слоях y~ 0.68-0.82. В структурах с ямами шириной 33 nm и менее наблюдались переходы между уровнями размерного квантования носителей. В структурах с ямами шириной более 50 nm наблюдалась ФЛ экситонов, локализованных флуктуациями состава, характерная для эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe толщиной более 3 mum. Показано влияние на уширение пика экситонной ФЛ CdxHg1-xTe не только стохастических флуктуаций состава, но и его макроскопических неоднородностей.
  1. Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Yu., Shvets V., Danilov S., Wittman B., Ganichev S. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 918--923
  2. Мележик E.A., Гуменюк--Сычевская Ж.В., Сизов Ф.Ф. // ФТП. 2010. Т. 44. С. 1365--1371
  3. Zanatta J.P., Noel F., Ballet P., Hdadach N., Million A., Destefanis G., Mottin E., Kopp C., Picard E., Hadji E. // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. P. 602--607
  4. Monterrat E., Ulmer L., Mallard R., Magnea N., Pautrat J.L., Mariette H. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 1774--1781
  5. Ivanov-Omskii V.I., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Smirnov V.A., Varanin V.S., Mikhailov N.N., Sidorov G.Yu. // Physica B. 2009. V. 404. P. 5035--5037
  6. Haakenaasen R., Selvig E., Tonheim C.R., Kongshaug T.O., Lorentzen T., Trosdahl-Iversen L., Andersen J.B., Gundersen P. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 893--902
  7. Dvoretsky S.A., Ikusov D.G., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Smirnov R.N., Sidorov Yu.G., Shvets V.A. // Semicond. Phys. Quantum Electr. Optoelectr. 2007. V. 10. N 4. P. 47--53
  8. Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Spesivtsev E.V., Rykhlitski S.V. // Int J. Nanotechnol. 2006. V. 3. N 1. P. 120--130
  9. Флюгге З. Задачи по квантовой механике. М.: Мир, 1974. Т. 1
  10. Becker C.R., Latussek V., Pfeuffer-Jeschke A., Landwehr G., Molenkamp L.W. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 10 353--10 363.
  11. Becker C.R., Hatch S.D., Goschenhofer F., Latussek V., Dell J.M., Faraone L. // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. Art. 115 115
  12. Miller R.C., Gossard A.C., Tsang W.T., Munteanu O. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. P. 3871--3877
  13. Барановский C.Д., Эфрос А.Л. // ФТП. 1978. Т. 12. С. 2233--2237
  14. Баженов Н.Л., Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Малькова А.А., Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. // ФТП. 1982. Т. 16. С. 109--112
  15. Kraus M.M., Becker C.R., Scholl S., Wu Y.S., Yuan S., Landwehr G. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. S62--S65.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.