Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 23 » Статья стр. 39
<<<>>>
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
Мынбаев К.Д.1,2, Баженов Н.Л.1,2, Иванов-Омский В.И.1,2, Смирнов В.А.1,2, Якушев М.В.1,2, Сорочкин А.В.1,2, Варавин В.С.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Сидоров Г.Ю.1,2, Дворецкий С.А.1,2, Сидоров Ю.Г.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
PDF версия
Исследована фотолюминесценция слоев твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Показано, что разупорядочение твердого раствора в данных слоях не превышает разупорядочения в слоях, выращенных этим же методом на подложках из GaAs. В спектрах люминесценции слоев CdHgTe на подложках из Si наблюдались линии, свойственные структурно-совершенному материалу, в частности, полосы донорно-акцепторной рекомбинации и рекомбинации экситона, связанного на примеси.
  1. He L., Fu X., Wei Q., Wang W., Chen L., Wu Y., Hu X., Yang J., Zhang Q., Ding R., Chen X., Lu W. // J. Electr. Mater. 2008. V. 37. P. 1189--1199
  2. Farrell S., Brill G., Chen Y., Wijewarnasuriya P.S., Rao M.V., Dhar N., Harris K. // J. Electr. Mater. 2010. V. 39. P. 43--48
  3. Sabinina I.V., Gutakovsky A.K., Sidorov Yu.G., Latyshev A.V. // Cryst. Growth. 2005. V. 274. P. 339--346
  4. Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1092--1101
  5. Yue F., Wu J. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 131909
  6. Robin I.C., Taupin M., Derone R., Solignac A., Ballet P., Luson A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 202104
  7. Shao J., Chen L., Lu W., Lu X., Zhu L., Guo S., He L., Chu J. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 121915
  8. Ижнин А.И., Ижнин И.И., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Баженов Н.Л., Смирнов В.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 3. С. 103--110
  9. Ivanov-Омский V.I., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Smirnov V.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Sidorov G.Yu. // Physica B. 2009. V. 404. P. 5035--5037
  10. Laurenti J.P., Camassel J., Bouhemadou A., Toulouse B., Legros R., Lusson A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 6454--6460
  11. Lusson A., Fuchs F., Marfaing Y. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 101. P. 673--677
  12. Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Мальцева В.А., Смирнов В.А. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 1109--1115
  13. Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Bazhenov V.A., Smirnov B.A., Mikhailov N.N., Sidorov G.Yu., Remesnik V.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. // Phys. stat. sol. (c) 2010. V. 7. P. 1621--1623
  14. Kraus M.M., Becker C.R., Scholl S., Wu Y.S., Yuan S., Landwehr G. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. S62--S65

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme