Инверсный магнитоэлектрический эффект в феррит-пьезоэлектрических структурах
Филиппов Д.А.1, Галкина Т.А.1, Srinivasan G.1
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Physics Department, Oakland University, Rochester, MI, USA
Email: Dmitry.Filippov@novsu.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Представлена теория инверсного магнитоэлектрического (МЭ) эффекта в объемных композиционных материалах. Используя материальные уравнения и уравнения движения, получено выражение для частотной зависимости коэффициента инверсного МЭ-преобразования и коэффициента преобразования напряжения МЭ-трансформатора. Показано, что зависимости имеют резонансный характер и на частоте резонанса имеет место пиковое увеличение МЭ-эффекта. Коэффициент трансформации напряжения зависит не только от коэффициента МЭ-преобразования и числа витков катушки индуктивности, но и от взаимной ориентации электрического и магнитного полей и геометрических размеров образца.
- Дзялошинский И.Б. // ЖЭТФ. 1959. Т. 37. С. 881-882
- Астров Д.Н. // ЖЭТФ. 1961. Т. 40. С. 1035-1041
- Folen V.J., Rado G.T., Stalder E.W. // Phys. Rev. Lett. 1961. V. 6. N 11. P. 607-608; V. 46. N 3. P. 1033-1034
- Fiebig M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. 123
- Dong S., Li J.F., Viehland D., Cheng J., Cross L.E. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 16. P. 3534-3536
- Fetisov Y.K., Petrov V.M., Srinivasan G. // J. Mater. Res. V. 22. N 8. P. 2074-2080
- Буш А.А., Каменцев К.Е., Мещеряков В.Ф., Фетисов Ю.К., Чашин Д.В., Фетисов Л.Ю. // ЖТФ. 2009. Т. 79. С. 71-77
- Филиппов Д.А. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 23. С. 24-31
- Филиппов Д.А., Бичурин М.И., Петров В.М., Лалетин В.М., Поддубная Н.Н., Srinivasan G. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. N 1. С. 15-20
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук