Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электропроводность монокристаллов MnGa2S4 на переменном токе
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
4Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
4Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: Oktay58@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnGa2S4 на переменном токе. С ростом частоты электропроводность увеличивается, и в интервале частот 435-500 kHz наблюдается резонансное явление. Определены энергии активации носителей тока. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Jc, 73.61.Le
- Kanomato T., Ido H., Kaneko T. // J. Phys. Japan. 1973. V. 34. N 2. P. 554
- Viswanadham P., Edwarch J. // Mat. Res. Bull. 1973. N 8. P. 1079
- Бабаева Б.К. // Тройные полупроводники и их применение. Кишинев, 1976. С. 96
- Rimet R., Buder R., Schlenker C., Roqus R., Zanchetta T. // Sol. St. Common. 1981. V. 37
- Paule P., Maudd J., Sylvil J., Jean P. // R. Acad. Sci. 1973. N 20. P. 1021
- Бекимбетов Р.Н., Медведкин Г.А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Таиров М.А. // Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 13. В. 17. С. 1040
- Бекимбетов Р.Н., Константинова Н.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А // Неорганические материалы. 1988. Т. 24. N 12. С. 1963
- Rimet R., Schlenker C. // J. Phys. 1982. V. 43. N 12. P. 1759
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов А.Г. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 4. С. 758
- Niftiev N.N. // Intermetallics. 2003. V. 11. P. 975
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 2. С. 164
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 19. С. 72
- Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. М.: Высшая школа, 1980. С. 400
- Орешкин П.Г Физика полупроводников и диэлектриков. Высшая школа, 1977. С. 448
- Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. С. 368
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
