Вышедшие номера
Разработка Si(Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля
Муминов Р.А.1, Раджапов С.А.1, Саймбетов А.К.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: detector@uzsci.net
Поступила в редакцию: 2 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Рассматривается изготовление Si(Li) детектора методом дрейфа ионов лития в режиме импульсного электрического поля. Определены его оптимальные режимы параметров: амплитуды, длительности и периоды импульса. Результаты показали, что проведение процесса дрейфа в импульсном режиме электрического поля позволяет в 2-4 раза сократить время компенсации объема полупроводника и значительно повысить его эффективность. PACS: 78.40.Fy, 29.40.-n