Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2009, выпуск 16 » Статья стр. 10
<<<>>>
Отображение моды Гейгера лавинных p-i-n-фотодиодов элементарными функциями
Холоднов В.А.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: Khol.Orion@g23.relcom.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
PDF версия
Рассмотрена возможность описания переходных процессов в p-i-n-лавинных фотодиодах (ЛФД) элементарными функциями, прежде всего при начальном напряжении V0, большем напряжения лавинного пробоя VBD. Постановка задачи вызвана потребностью знать явные условия возникновения гейгеровской моды работы ЛФД. Выведено несложное выражение, описывающее динамику лавинного гейгеровского процесса. Получена формула для полного времени его протекания. Представлено явное аналитическое соотношение реализации моды Гейгера. Определены условия применимости полученных результатов. PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 85.30.Mn
  1. Spinelli A., Lacaita A.L. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. V. 44. N 11. P. 1931--1943
  2. Niclass C., Rochas A., Besse P.-A., Charbon E. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2005. V. 40. N 9. P. 1847--1854
  3. Groves C., Tan C.H., David J.P.R., Rees G.J., Hayat M.M. // IEEE Trans. Electron Devices. 2005. V. 52. N 7. P. 1527--1534
  4. Stoppa D., Pancheri L., Scandiuzzo M., Pancheri L., Scandiuzzo M., Malfatti M., Pedretti G., Gonzo L.A. // Proceedings of ESSCIRC. Grenoble, France. 2005. P. 487--490
  5. Гулаков И.Р., Залесский В.Б., Зеневич А.О., Леонова Т.Р. // ПТЭ. 2007. N 2. С. 112--115
  6. Ванюшин И.В., Гергель В.А., Гонтарь В.М., Зимогляд В.А., Тишин Ю.И., Холоднов В.А., Щелева И.М. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 6. С. 741--745
  7. Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1051--1063
  8. Техника оптичеcкой связи. Фотоприемники / Под ред. У. Tcанга. М.: Мир, 1988. Гл. 1, разд. 1.3.3; гл. 3, с. 313, 337
  9. Поспелов В.В., Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К., Холоднов В.А. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3. N 6. С. 475--481
  10. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. Гл. 1. С. 9, 29

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme