Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 22 » Статья стр. 64
<<<>>>
Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов p-HgCdTe при ионном травлении
Ижнин И.И.1,2,3,4, Дворецкий С.А.1,2,3,4, Михайлов Н.Н.1,2,3,4, Сидоров Ю.Г.1,2,3,4, Варавин В.С.1,2,3,4, Поцяск М.1,2,3,4, Мынбаев К.Д.1,2,3,4
1НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: granat@ipm.lviv.ua
Поступила в редакцию: 23 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
PDF версия
Изучено воздействие ионного травления на электрические свойства вакансионно-легированных образцов p-Hg1-xCdxTe (x~0.22). Образцы были изготовлены термическим отжигом гетероструктур, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, а также монокристаллов и пленки, выращенной жидкофазной эпитаксией. После ионного травления в образцах наблюдалось образование донорных центров, причем в гетероструктурах, в отличие от других образцов, концентрация центров достигала величины ~1017 cm-3. Установлено, что причиной высокой концентрации донорных центров в гетероструктурах явилась активация ионным травлением нейтральных дефектов, сформировавшихся в процессе роста. Обсуждается возможная природа этих дефектов. PACS: 73.61.Ga, 61.80.Jh, 66.30.Lw
  1. Пономаренко В.П. // УФН. 2003. Т. 173. С. 649
  2. Shaw D., Capper P. // J. Mater. Sci.: Mater. Electr. 19, 965 (2008)
  3. Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Mynbaev K.D., Pociask M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. Art. 132 106
  4. Богобоящий В.В., Власов А.П., Ижнин И.И. // Изв. вузов. Физика. 2001. Т. 44. С. 50
  5. Belas E., Grill R., Franc J., Moravec P., Varghova R., Hoschl P., Sitter H., Toth A.L. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 224. P. 52
  6. Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1092
  7. Bogoboyashchii V.V., Elizarov A.I., Izhnin I.I. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 726
  8. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Sisov F.F. // Proceed. SPIE. 2005. V. 5881. Art. 5881OU--1
  9. Богобоящий В.В., Курбанов К.Р., Оксанич А.П. // Функц. материалы. 2000. Т. 7. С. 546
  10. Богобоящий В.В. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1418
  11. Богобоящий В.В., Ижнин И.И., Курбанов К.Р. // Патент Украины UA 5447. 2003
  12. Young M.L., Giess J. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 7173

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme