Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 13 » Статья стр. 41
<<<>>>
Воздействие ультрафиолетового излучения на релаксационные характеристики сегнетоэлектрических конденсаторов
Василевский А.М.1, Вольпяс В.А.1, Козырев А.Б.1, Коноплев Г.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ga_konoplyov@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
PDF версия
Исследовано влияние УФ-облучения вблизи края фундаментального поглощения на релаксационные характеристики сегнетоэлектрических конденсаторов на основе тонких пленок (Ba,Sr)TiO3. Предварительно в диапазоне длин волн 300-600 nm были исследованы спектры поглощения сегнетоэлектрических пленок (Ba,Sr)TiO3 толщиной до 1 mum, полученных методом ВЧ магнетронного распыления на подложках из сапфира и оценена глубина проникновения УФ-излучения и ширина запрещенной зоны. Экспериментально обнаружено значительное уменьшение времени релаксации остаточной емкости конденсаторов, изготовленных на основе пленок (Ba,Sr)TiO3, при воздействии УФ-излучения. Минимальное время релаксации конденсаторов достигается при облучении в спектральной области 350-360 nm. PACS: 78.66.Nk, 73.40.Rw, 77.80.Dj
  1. Razumov S.V., Tumarkin A.V., Gaidukov M.M., Gagarin A.G. // Ferroelectrics. 2003. V. 286. P. 357--362
  2. Zhu X.Y., Yong L.P., Tian H.F. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. V. 18. P. 4709--4718
  3. Boikov Yu.A., Goltsman B.M., Yarmarkin V.K., Lemanov V.V. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 3866--3868
  4. Alphord N., Petrov P., Gagarin A.G., Kozyrev A.B., Sokolov A.I., Soldatenkov O.I., Volpyas V.A. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 222904
  5. Rotter L.D., Vaudina M.D., Bonevicha J.E. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 368. P. 41--48
  6. Bao D., Xi Yao, Wakiya N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 3767--3769
  7. Aulika I., Zauls V., Kundzins K. et al. // J. Optoel. Adv. Mat. 2003. V. 5. P. 755--761
  8. Zhang T., Gu H., Liu J. // Microelectr. Eng. 2003. V. 66. P. 860--864
  9. Reddy V., Mergel D., Reuter S. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. V. 39. P. 1161--1168
  10. Zheng Y.B., Wang S.J., Huan A.C.H. et al. // J. Appl. 2006. V. 99. P. 014106
  11. Razumov S.V., Tumarkin A.V., Gaidukov M.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 1675--1677
  12. Василевский А.М., Коноплев Г.А. // Информационно-управляющие системы. 2006. N 1. С. 48--54

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme