"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Модификация пористого кремния в результате лазерного воздействия
Сорокин Л.М.1, Соколов В.И.1, Бурцев А.П.1, Калмыков А.Е.1, Григорьев Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
Email: aekalm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Проведены эксперименты по отжигу поверхностного слоя пористого кремния излучением импульсного ИК-лазера. Методами инфракрасной спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследован характер модификации поверхности образца. Показана возможность получения таким способом Si : SiO2 композита. PACS: 81.05.Cy, 81.05.Rm, 81.05.Zx, 81.07.Bc
  1. Гусев А.И., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2001. С. 224
  2. Венгер Е.Ф., Голипей Р.Ю., Матвеева Л.О. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2001. В. 36. С. 199
  3. Das B., McGinnis S.P. // Semicond Sci. Technol. 1999. V. 14. P. 998
  4. Balagurov L.A., Bauliss S.C., Orlov A.F., Unal B., Yarkin D.G. // Abstracts. Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology". Madrid, Spain, 2000. P. 53
  5. Gullis A.G., Ganam L.T., Calcott P.D.J. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 909
  6. Соколов В.И., Сорокин Л.М., Калмыков А.Е. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 7. С. 1316
  7. Абильсиитов Г.А., Гонтарь В.Г., Колпаков А.А., Новицкий Л.А. и др. // Под общ. ред. Г.А. Абильсиитова. Технологические лазеры: Справочник. Т. 2. М.: Машиностроение, 1991. С. 544
  8. Алфёров Ж.И., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1985. Т. 49. N 6. С. 1069
  9. Pascual L., Mart-Palma R.J., Mart-Duart J.M. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 251921

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.