"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p-n-InSe
Ковалюк З.Д.1,2, Политанская О.А.1,2, Литовченко П.Г.1,2, Ластовецкий В.Ф.1,2, Литовченко О.П.1,2, Дубовой В.К.1,2, Поливцев Л.А.1,2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев
Email: chimsp@ukrpost.ua
Поступила в редакцию: 27 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Исследовано влияние облучения быстрыми нейтронами реактора с эффективной энергией 1 MeV и флюенсами Phi=1· 1014-5· 1015 n·cm-2 на фотоэлектрические параметры гомопереходов p-n-InSe, изготовленных методом прямого оптического контакта полупроводников p- и n-типа. Наблюдаемые изменения ВАХ заключаются в улучшении коэффициента выпрямления тока и росте фактора идеальности ВАХ с увеличением дозы облучения. Отмечено отсутствие особых изменений спектральных зависимостей фоточувствительности структур при разных дозах облучения, что позволяет рекомендовать их для создания радиационно-стойких фотодетекторов. PACS: 72.40.+w, 73.40.Lq, 78.70.-g
  • Аскеров К.А., Абасова А.З., Исаев Ф.К. // Прикладная физика. 2004. N 4. C. 94--96
  • Абдулаев Г.Б., Абасова А.З., Горшков А.М. и др. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 799--801
  • Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 9. С. 1--5
  • Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2005. V. 118. P. 147--149
  • Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 940--943
  • Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Politanska O.A. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2006. V. B246. P. 118--121
  • Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2000-2002
  • Манассон В.А., Малик А.И., Баранюк В.Б. // Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7. В. 9. С. 549--552
  • Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. и др. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 1. С. 76--80
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. М.: Мир, 1984
  • Ohyama H., Simoen E., Claeys C. et al. // Physica E. 2003. V. 16. P. 533--538
  • Ohyama H., Vanhellemont J., Takami Y. et al. // Radiation Physics and Chemistry. 1998. V. 53. P. 597--602
  • Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988
  • Абдулаев Г.Б., Абасова А.З., Аскеров К.А. и др. // Неорганические материалы. 1983. Т. 19. В. 4. С. 679--681
  • Абасова А.З., Заитов Ф.А. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 4. С. 613--618
  • Shigetomi S., Ohkubo H., Ikari T. // J. Phys. Chem. Sol. 1990. V. 51. N 1. P. 91--92
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.