"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Многоэмиттерный полевой источник ионов на основе наноструктурированных углеродных материалов
Великодная О.А.1, Гурин В.А.1, Гурин И.В.1, Колосенко В.В.1, Ксенофонтов В.А.1, Михайловский И.М.1, Саданов Е.В.1, Буколов А.Н.1, Мазилов А.А.1
1Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
Email: mikhailovskij@kipt.kharkov.ua
Поступила в редакцию: 18 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Предложен и реализован новый полевой многоэмиттерный иточник ионов на базе наноструктурированного углерода. Показано, что коэффициент усиления электрического поля над поверхностью эмиттеров достигает 6.5·104. Применение метода формировки эмитирующей поверхности низкотемпературным полевым испарением обеспечило существенное повышение однородности ионной эмиссии. PACS: 85.45.Fd, 79.40.+z, 81.07.-b
  1. Poa C.H., Henley S.J., Chen G.Y. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 114 308/1--114 308/6.
  2. Huang J.Y., Kempa K., Jo S.H. et al. // Applied Physics Letters. 2005. V. 87. P. 053 110/1--053 110/3
  3. Miller M.K., Cerezo A., Heartherington M.G., Smith G.D.W. Atom Probe Field Ion Microscopy. Oxford: Clarendon, 1996. 509 p
  4. Doak R.B., Ekinci Y., Holst B. et al. // Rev. Sci. Instr. 2004. V. 75. P. 405--414
  5. Tondare V.N. // J. Vac. Sci. Technol. 2005. V. A23(6). P. 1498--1508
  6. Ксенофонтов В.А., Михайловский И.М., Кулько В.Б. // ЖТФ. 1983. Т. 53. С. 1583--1587
  7. Hata K., Kiya Y., Ohata M., Saito Y. // Scripta Mater. 2001. V. 44. P. 1571--1575
  8. Гурин В.А., Гурин И.В., Левин Д.А. // ВАНТ. 2004. N 3. C. 81--86
  9. Березняк П.А., Слезов В.В. // Радиотехника и электроника. 1972. N 2. C. 354--358

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.