Примесная проводимость стеклообразных полупроводников Ge28.5Pb15S56.5 и Ge27Pb17Se56
Бордовский Г.А.1, Кастро Р.А.1, Теруков Е.И.1
1Российский государственный педагогический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 1 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
Методом мессбауэровской спектроскопии, оптической спектроскопии и измерения температурной зависимости электропроводности показано, что примесные атомы железа образуют в щели подвижности стекол Ge28.5Pb15S56.5 и Ge27Pb17Se56 донорные уровни и смещают уровень Ферми, причем это смещение зависит от концентрации железа. PACS: 72.20.-i
- Цэндин К.Д. // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб.: Наука, 1996. С. 34--113
- Серегин П.П., Андреев А.А. // Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов. М.: Мир, 1998. С. 294--330
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук