Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 13 » Статья стр. 67
<<<>>>
Акустостимулированное преобразование радиационных дефектов в gamma-облученных кристаллах кремния n-типа
Олих Я.М.1,2, Тимочко Н.Д.1,2, Долголенко А.П.1,2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
Email: jaroluk3@ukr.net
Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования влияния ультразвуковой (УЗ) обработки (fUS~4/30 MHz, WUS~0.1/2 W/cm2) на электрическую активность радиационных дефектов в gamma-облученных (D=108,109 rad) кристаллах n-Si с различным содержанием кислорода (~1018 и <5·1015 cm-3). Из анализа температурных (100/300 K) зависимостей холловских характеристик в предположении многоуровневой структуры центров определены их энергетическое положение и концентрации. Показано, что основными акустоактивными дефектами, изменяющими свойства материала при УЗ обработке, являются: в тигельных образцах - A-центры (Ec-0.20) eV и дивакансии (Ec-0.26) eV; в зонных образцах - дивакансии и/или комплексы Ps-Ci(Ec-0.23) eV. PACS: 72.50.+b, 61.82.Fk
  1. Подолян А.А., Хиврич В.И. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 10. С. 11--16
  2. Парчинский П.Б., Власов С.И., Муминов С.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 10. С. 40--45
  3. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наук. думка, 1974. 200 с
  4. Олих Я.М., Карась Н.И. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 8. С. 1455--1459
  5. Долголенко А.П., Литовченко П.Г., Варенцов М.Д., Гайдар Г.П. // Сб. науч. трудов Института ядерных исследований. Киев, 2003. N 1(9). С. 63--68
  6. Brosious P.R. // Proc. Conf. "Defects and Radiation Effects in Semiconductors". Nice-1978. Bristol--London, Inst. of Phys. 1979. N 46. P. 248
  7. Asghar M., Zafar Iqbal M., Zafar N. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 8. P. 3698--3708
  8. Tokumaru Y., Okushi H., Masui T., Abe Y. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 1982. N 21. P. L443
  9. Moll M., Fretwurst E., Kuhnke M. Lindstrom G. // Nucl. Instr. and Meth. B. 2002. V. 186. P. 100--110
  10. Asom M.T., Benton J.L., Sauer R., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett. 1987. N 4. P.256--258
  11. Jellilson G.E. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 8. P. 5715--5719
  12. Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н., Тамендаров М.Ф. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 391--392

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme