Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией
Алексеев А.Н.1, Александров С.Б.1, Бырназ А.Э.1, Великовский Л.Э.1, Великовский И.Э.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Ткаченко А.Г.1, Шкурко А.П.1, Чалый В.П.1
1ЗАО Светлана
Поступила в редакцию: 16 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Приводятся результаты оптимизации получения гетероструктур AlN/AlGaN/ GaN/AlGaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота для полевых СВЧ-транзисторов. Создание технологических ростовых установок серии ЭПН для получения нитридов третьей группы методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии и разработка ростового и постростового процессов позволили получить выходные статические характеристики НЕМТ-транзистора на основе гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN на уровне мировых результатов.
- Wu Y.F. et al. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 117--119
- Kikkawa T., Mitani E., Joshin K. et al. // An Over 100 W CW Output Power Amplifier Using AlGaN/GaN HEMTs. GaAs MANTECH. New Orleans, 2004
- Gaska R., Shur M.S., Bykhovski A.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 287--289
- Kiehl R.A., Solomon P.M., Frank D.J. // IBM J. Res. Develop. 1990. V. 34. N 4. P. 506--529
- Bougrioua Z., Moerman I., Nistor L. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 195 (1). P. 93--100
- Maeda N., Tsubaki K., Saitoh T. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 743. P. L9.3.1--L9.3.6
- Chen C.Q., Zhang J.P., Adivarahan V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 4593--4595
- Александров С.Б. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 1275--1279
- Волков В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. С. 63--67
- Патент РФ N 2222845 от 01.04.03
- Vezian S., Natali F., Semond F. et al. // Phys. Rev. (b). 2004. V. 69. P. 125329-1--125329-7
- Storm D.F., Katzer D.S., Binari S.C. et al. // Electron. Lett. 2005. (in press)
- Waltereit P., Sato H., Poblenz C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N 15. P. 2748--2750
- Hooper S.E., Kauer M., Bousquet V. et al. // Electron. Lett. 2004. V. 40 (1). P. 33--34
- Arulkumaran S., Sakai M., Egawa T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 6. P. 1131--1133
- Smith A.R., Feenstra R.M., Greve D.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 17. P. 2114--2116
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук