Распределенная модель организации автоколебаний в полупроводнике, вызванных джоулевым саморазогревом
Мелких А.В.1, Рыбаков Ф.Н.1, Повзнер А.А.1
1Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
Email: mav@dpt.ustu.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Построена модель автоколебаний тока и напряжения в полупроводнике, вызванных саморазогревом. Учтено пространственное распределение температуры в образце в виде пластины. Найдены зависимости параметров автоколебаний от чисел подобия. Полученные зависимости могут быть использованы для управления генерацией автоколебаний в терморезисторах.
- Shaw M.P., Yildirim N. // Advances in electornics and electron physics. 1982. V. 60. P. 307--385
- Altchen L., Klein N. // IEEE transactions on electron devices. 1973. V. ED--20. P. 801--811
- Alekseev A., Bose S., Rodin P., Scholl E. // Physical Review. E. 1998. V. 57. N 3. P. 2640--2649
- Rodin P. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. N 045307. P. 1--11
- Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. 560 с
- Шелль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М.: Мир, 1991. 464 с
- Волков А.Ф., Коган Ш.М. // УФН. 1968. Т. 96. N 4. С. 633
- Мэклин Э.Д. Терморезисторы. М.: Радио и связь, 1983. 208 с
- Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3d-окислов. Параметры, характеристики и области применения. М.: Наука, 1973. 415 с
- Кривоносов А.И. Полупроводниковые датчики температуры. М.: Энергия, 1974. 184 с
- Мелких А.В., Повзнер А.А. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 6. С. 14--18
- Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. 536 с
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук