"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования гетеропереходов II типа GaAsP/GaInAsP
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Николаев Д.Н.1, Станкевич А.Л.1, Трукан М.К.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе твердых растворов GaInP/GaAsP/GaInAsP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что твердые растворы GaAs0.77P0.23 и Ga0.74In0.26As0.53P0.47 образуют между собой гетеропереход II типа. Установлено, что величина разрыва в зоне проводимости на гетерогранице твердых растворов GaAs0.77P0.23 и Ga0.74In0.26As0.53P0.47 составляет 90 meV, поэтому использование четверного твердого раствора в качестве активной области лазерной гетероструктуры (lambda=780 nm) предпочтительнее.
  1. Elbert G., Bugge F., Knauer A. et al. // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 1999. V. 5. P. 780
  2. Agahi F., Lau K.M., Choi H.K. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1995. V. 7. P. 140
  3. Mawst L.J., Rusli S., Al-Muhanna A., Wade J.K. // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 1999. V. 5. P. 785
  4. Diaz J., Yi H.J., Razeghi M., Burnham G.T. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 3042
  5. Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27
  6. Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А. и др. // ФТП. 2003. Т. 37 (12). С. 1473
  7. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения A-=SUP=-3-=/SUP=-B-=SUP=-5-=/SUP=-: Справочник. М.: Металлургия, 1984
  8. Joullie A., Skouri E.M., Garcia M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 2499
  9. Моисеев К.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24 (12). С. 50

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.