Одновременная интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Астахова А.П.1, Ильинская Н.Д.1, Именков А.Н.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: serguie@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Источники когерентного излучения изготовлены на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Модовый состав спектра определяется одновременной вынужденной рекомбинацией на гетерогранице и в объеме активной области, а также негенерируемыми модами с промежуточными частотами. Дополнительные оптические потери на промежуточных модах уменьшают крутизну зависимости интенсивности излучения от тока.
- Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Литвак А.М., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 9. С. 517--522
- Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 2. С. 233--238
- Krier A., Sherstnev V.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. V. 33. C. 101--106
- Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. II. С. 664--667
- Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 12. С. 2312--2318
- Баранов А.Н., Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 6--10
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.