"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние пространственной неоднородности толщины диэлектрика на вольт-амперные характеристики туннельных МОП-структур
Тягинов С.Э.1, Векслер М.И.1, Шулекин А.Ф.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shulekin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Проведено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) туннельных МОП-структур AlSiO2/Si с учетом неоднородности распределения толщины диэлектрика по площади прибора. Обнаружена трансформация ВАХ при сильной дисперсии толщины. Определены значения дисперсии тока в широком диапазоне линейных размеров прибора. Результаты получены с привлечением наиболее современных данных о параметрах туннелирования и могут претендовать на количественную точность.
  1. Momose H.S., Nakamura S., Ohguro T., Yoshitomi T., Morifuji E., Morimoto T., Katsumata Y., Iwai H. // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. ED-45. N 3. P. 691--700
  2. SEMATECH. The International technology roadmap for semiconductors. http://public.itrs.net.home.htm, 2001
  3. Harrison W.A. // Phys. Rev. 1961. V. 123. N 1. P. 85--89
  4. Vexler M.I. // Solid-State Electron. 2003. V. 47. N 8. P. 1283--1287
  5. Asli N. Experimentelle Untersuchung der Elektrolumineszenz von MOS-Tunnelstrukturen. Ph. D. Dissertation, Kiel Univ., Germany, 2004. 156 p
  6. Houssa M., de Gendt S., de Bokx P., Mertens P.W., Heyns M.M. // Microelectron. Eng. 1999. V. 48. P. 43--46
  7. Khairurrijal, Mizubayashi M., Hirose M. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N 6. P. 3000--3005
  8. Koh M., Iwamoto K., Mizubayashi W., Murakami H., Ono T., Tsuno M., Mihara T., Shibahara K., Yokoyama S., Miyazaki S., Miura M.M., Hirose M. // IEDM Tech. Dig. 1998. P. 919--922.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.