Анализ сверхтонких слоев имплантации мышьяка в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Кибалов Д.С.1, Орлов О.М.1, Симакин С.Г.1, Смирнов В.К.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Email: IBTec@rambler.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Для метода вторично-ионной масс-спектрометрии на приборе IMS-4f Cameca продемонстрирован новый режим анализа, который позволил достичь разрешения по глубине lambda=1.4 nm и получить распределения мышьяка в кремнии, близкие к истинным. В образцах кремния, имплантированных As+ через слой термического оксида толщиной 20 nm с энергией 30 keV и дозами (1.25/3.13)xx1013 cm-2, обнаружено формирование резкого пика мышьяка на границе оксид / кремний за счет диффузионного смещения мышьяка к данной границе после отжигов.
- Thompson S., Packan P., Bohr M. // Intel Technology J. 1998. Q3. P. 1--19
- Simakin S.G., Smirnov V.K. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 203--204. P. 314--317
- Wittmaack K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. V. 16. N 5. P. 2776--2785
- Sai-Halasz G.A., Short K.T., Williams J.S. // IEEE Electron Dev. Lett. 1985. V. 6. P. 285--287
- Dowsett M.G., Rowlands G., Allen P.N. et al. // Surf. Interface Anal. 1994. V. 21. P. 310--315
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук