Вышедшие номера
Анализ сверхтонких слоев имплантации мышьяка в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Кибалов Д.С.1, Орлов О.М.1, Симакин С.Г.1, Смирнов В.К.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Email: IBTec@rambler.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Для метода вторично-ионной масс-спектрометрии на приборе IMS-4f Cameca продемонстрирован новый режим анализа, который позволил достичь разрешения по глубине lambda=1.4 nm и получить распределения мышьяка в кремнии, близкие к истинным. В образцах кремния, имплантированных As+ через слой термического оксида толщиной 20 nm с энергией 30 keV и дозами (1.25/3.13)xx1013 cm-2, обнаружено формирование резкого пика мышьяка на границе оксид / кремний за счет диффузионного смещения мышьяка к данной границе после отжигов.