Исследуется возможность использования многоатомных ионов в качестве первичных частиц при профилировании твердотельных гетероструктур методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Показано, что бомбардировка мишени ионизованными кластерами кислорода O⁺_n (n=3,4) позволяет снизить удельную энергию удара в пересчете на первичный атом и поэтому достигается существенное улучшение разрешения по глубине. Продемонстрирована возможность получения пучка первичных ионизованных кластеров вида O⁺_n (n=3,4) с удельной энергией удара вплоть до 1 keV/at. при использовании стандартного источника ионов, снабженного магнитным масс-сепаратором, и магнитно-секторного вторично-ионного масс-спектрометра. ВИМС профилирование тестовой структуры GaAs/delta-AlAs/GaAs/... при использовании первичных ионов O⁺₃ с удельной энергией 1 keV/at. продемонстрировало высокое разрешение по глубине. Проведено сравнение экспериментальных данных с компьютерным моделированием процесса ионного распыления, выполненным с использованием кода DITRIRS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.