Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 18 » Статья стр. 87
<<<
Роль эффектов электронного транспорта в ИК фотопроводимости структур InGaAs/GaAs с квантовыми точками
Данильцев В.М.1,2, Дроздов М.Н.1,2, Молдавская Л.Д.1,2, Шашкин В.И.1,2, Германенко А.В.1,2, Миньков Г.М.1,2, Шерстобитов А.А.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2НИИФПМ при Уральском государственном университете им. А.Г. Горького, Екатеринбург
Email: lmd@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
PDF версия
Исследована температурная зависимость эффекта Холла в многослойных селективно легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми точками (КТ). Установлено, что структуры, в которых наблюдалась фотопроводимость в ИК диапазоне, демонстрируют резкий рост проводимости и холловской подвижности в интервале температур 8-30 K с зависимостью от температуры, близкой к экспоненциальной, при практически постоянном коэффициенте Холла и концентрации электронов. Предложен новый механизм продольной ИК фотопроводимости в структурах с КТ, связанный с изменением подвижности электронов в двумерном канале в результате снижения кулоновского рассения на заряженных КТ.
  1. Finkman E., Maimon S., Immer V., Bahir G., Schacham S.E., Fossard F., Julien F.H., Brault J., Gedry M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 045323
  2. Maimon S., Finkman E., Bahir G., Schacham S.E., Garsia J.M., Petroff P.M. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2003
  3. C.liu H., Gao M., McCaffey J., Wasilewski Z.R., Fafard S. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 79
  4. Pan D., Towe E., Kennerly S. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 75. P. 2719
  5. D. Pan, Towe E., Kennerly S. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1937
  6. Kim S., Mohseni H., Erdtmann M., Michel E., Jelen C., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 963
  7. Phillips J., Kamath K., Bhattacharya P. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 2020
  8. Lee S.-V., Hirakawa K., Shimada Y. // Physica E. 2000. V. 7. P. 499
  9. Chu L., Zrenner A., Bohm G., Abstreiter G. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 1944
  10. Chu L., Zenner A., Bichter M., Abstreiter G. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 2249
  11. Chu L., Zrenner A., Bougeard D., Bichler M., Abstreiter G. // Physica E. 2002. V. 13. P. 301
  12. Sakaki H., Yusa G., Someya T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 3444
  13. Metzner C., Yusa G., Sakaki H. // Superlattices and Microstructures. 1999. V. 25. P. 537
  14. Kardynal B.E., Shieds A.J., O'Sullivan M.P. et al. // Meas. Sci. Technol. 2002. V. 13. P. 1721
  15. Moldavskaya L.D., Shashkin V.I., Drozdov M.N. et al. // Physica E. 2003. V. 17. P. 634
  16. Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Рогозин В.А. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. N 1. С. 70
  17. Arnold E. // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. P. 705.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme