Некоторые особенности формирования нанометровых нитевидных кристаллов на подложках GaAs (100) методом МПЭ
Сошников И.П.1, Тонких А.А.1, Цырлин Г.Э.1, Самсоненко Ю.Б.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 26 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Проведено исследование процесса формирования нанометровых нитевидных кристаллов (ННК) на поверхности GaAs (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено существование начальной и развитой стадий роста ННК с двумя различными типами поверхностной морфологии - "зародышевых" и "проросших" ННК. Установлено, что на развитой стадии преимущественно формируются "проросшие" ННК, которые ориентированы в направлениях <111> B и огранены поверхностями (110) (включая верхнюю оконечность ННК), а в поперечном сечении образуют шестигранник с характерными размерами 50-300 nm. Обнаружено, что поперечный размер шестигранника может существенно отличаться от размеров капель AuGaAs. Соотношение продольных и поперечных размеров "проросших" ННК может достигать величин порядка 150 и более. Следует отметить, что при превышении поперечными размерами нанометровых нитевидных кристаллов величины примерно 200 nm наблюдается слабое уменьшение их длины. Наличие двух типов морфологии поверхности с ННК указывает на неоднородный характер роста ННК на поверхности GaAs (100) в зависимости от размеров капель катализатора, эффективной толщины осаждаемого слоя GaAs и температуры роста.
- Sears G.W. // Acta Met. 1953. V. 1. P. 457
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4 (5). P. 89
- Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с
- Givargizov E.I. // J. Cryst. Growth. 1975. V. 31. P. 20
- Notzel R., Temmyo J., Tamamura T. et al. // Nature. 1994. V. 369 (56). P. 131
- Borle W.N. // J. Appl. Phys. 1970. V. 41 (7). P. 3184
- Гиваргизов Е.И. // Докл. АН СССР. 1975. Т. 222 (2). С. 319
- Wada O. // J. Phys. D. 1984. V. 17. P. 2429
- Malherbe J.B. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1994. V. 19 (3). P. 119
- Soshnikov I.P., Lunev A.V., Gaevski M.E. et al. // Proc. SPIE Symp. On Microlitography. 1997. V. 3048. P. 404
- Мамутин В.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 18. С. 55
- Cui Y., Lauhon L.J., Gudiksen M.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78 (15). P. 2214
- Ohlsson B.J., Bjoerk M.T., Magnusson M.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79 (20). P. 3335
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 10. С. 113
- Гурьянов Г.М., Демидов В.Н., Корнеева Н.П., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. // ЖТФ. 1997. Т. 67 (8). С. 111
- Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С. // УФН. 1978. Т. 125 (3). С. 489
- Лифшиц И.М., Слезов В.В. // ЖЭТФ. 1958. Т. 35 (2). С. 479--92
- Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход). СПб.: Наука, 1996. 304 с
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41--50
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
