Вышедшие номера
Некоторые особенности формирования нанометровых нитевидных кристаллов на подложках GaAs (100) методом МПЭ
Сошников И.П.1, Тонких А.А.1, Цырлин Г.Э.1, Самсоненко Ю.Б.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 26 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Проведено исследование процесса формирования нанометровых нитевидных кристаллов (ННК) на поверхности GaAs (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено существование начальной и развитой стадий роста ННК с двумя различными типами поверхностной морфологии - "зародышевых" и "проросших" ННК. Установлено, что на развитой стадии преимущественно формируются "проросшие" ННК, которые ориентированы в направлениях <111> B и огранены поверхностями (110) (включая верхнюю оконечность ННК), а в поперечном сечении образуют шестигранник с характерными размерами 50-300 nm. Обнаружено, что поперечный размер шестигранника может существенно отличаться от размеров капель AuGaAs. Соотношение продольных и поперечных размеров "проросших" ННК может достигать величин порядка 150 и более. Следует отметить, что при превышении поперечными размерами нанометровых нитевидных кристаллов величины примерно 200 nm наблюдается слабое уменьшение их длины. Наличие двух типов морфологии поверхности с ННК указывает на неоднородный характер роста ННК на поверхности GaAs (100) в зависимости от размеров капель катализатора, эффективной толщины осаждаемого слоя GaAs и температуры роста.