Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур на основе Cu(In,Ga)Se2 пленок, полученных вакуумным соиспарением
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Гременок В.Ф.1, Ильчук Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия С.-Петербургский государственный политехнический университет, Россия Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск, Беларусь Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
Email: rudvas@spbstu.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Методом вакуумного соиспарения всех элементов получены поликристаллические пленки Cu(In,Ga)Se2 с различным соотношением Cu, In и Ga. Рентгеновские исследования показали, что полученные слои являются однофазными и имеют высокоориентированную в направлении [112] структуру халькопирита. Пленки обладали зеркально-гладкой поверхностью с плотноупакованной структурой, состоящей из кристаллитов со средними размерами 0.1-0.3 mum и четкой огранкой. На основе полученных пленок созданы поверхностно-барьерные структуры типа (In, Ag)/Cu(In, Ga)Se2 и исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования этих структур. Сделан вывод о возможности применения полученных структур для оптимизации процесса получения пленок CIGS.
- Коутс Т., Микина Дж. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. М.: Мир, 1988. 307 с
- Kazmerski L. // Renewable and Sustainable Energy Reviews. 1997. V. 1. N 1, 2. P. 71--87
- Rau U., Shock H.W. // Series on Photoconversion of Solar Energy. 2001. V. 1. P. 277--280
- Панков Ж. Оптичеcкие процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 273 с
- Coutts T.J., Kazmerski L.L., Wagner S. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications. Amsterdam: Pergamon Press, 1986. 427 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук