Исследование условий роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных структур Si-(Si2)1-x(ZnS)x
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Твердые растворы (Si2)1-x(ZnS)x (0.08=< x=< 0.92) выращены методом жидкостной эпитаксии из ограниченного оловянного раствора-расплава. Исследованы морфологические, фотоэлектрические и вольт-емкостные свойства полученных эпитаксиальных твердых растворов (Si2)1-x(ZnS)x. Показано, что распределение химических компонентов по толщине слоев является однородным. Установлено, что спектральная чувствительность находится в интервале энергии фотонов от 1.05 до 3.0 eV, что представляет большой интерес в качестве материалов для фото- и оптоэлектроники.
- Свечников С.В., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. и др. // ФТП. 2000. Т. 24. В. 10. С. 1178--1182
- Хомченко В.С., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. и др. // ФТП. 2002. Т. 72. В. 8. С. 44--48
- Сапаев Б., Саидов А.С., Давлатов У.Т. // Вестник ГулГУ. 2001. N 1. С. 50--54
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. M.: Металлургиздат, 1962. С. 874
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук