"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование условий роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных структур Si-(Si2)1-x(ZnS)x
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1
1Физико-технический институт НПО "Физика
Поступила в редакцию: 28 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Твердые растворы (Si2)1-x(ZnS)x (0.08=< x=< 0.92) выращены методом жидкостной эпитаксии из ограниченного оловянного раствора-расплава. Исследованы морфологические, фотоэлектрические и вольт-емкостные свойства полученных эпитаксиальных твердых растворов (Si2)1-x(ZnS)x. Показано, что распределение химических компонентов по толщине слоев является однородным. Установлено, что спектральная чувствительность находится в интервале энергии фотонов от 1.05 до 3.0 eV, что представляет большой интерес в качестве материалов для фото- и оптоэлектроники.
  1. Свечников С.В., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. и др. // ФТП. 2000. Т. 24. В. 10. С. 1178--1182
  2. Хомченко В.С., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. и др. // ФТП. 2002. Т. 72. В. 8. С. 44--48
  3. Сапаев Б., Саидов А.С., Давлатов У.Т. // Вестник ГулГУ. 2001. N 1. С. 50--54
  4. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  5. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. M.: Металлургиздат, 1962. С. 874

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.