"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О причине низкочастотного гистерезиса и дисперсии тока в гетероструктурных полевых транзисторах на основе AlGaN/GaN
Иванов П.А.1, Левинштейн М.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

В режиме большого пилообразного сигнала на затворе (частота 10-2-10-1 Hz) обнаружены гистерезис переходных характеристик и дисперсия тока стока в гетероструктурных полевых транзисторах с двумерным электронным газом на основе AlGaN/GaN. Наблюдаемая нестабильность объясняется тем, что область пространственного заряда (ОПЗ) в слое n-GaN, расширяющаяся при запирании транзистора, контролируется "плавающим" потенциалом этого слоя, не имеющего гальванической связи с заземленным истоком. Как следствие, время релаксации индуцированного в ОПЗ заряда довольно велико и этот разряд не успевает следовать за изменениями потенциала затвора.
  1. Simin G., Hu X., Il'inskaya N. et al. // Electronics Letters. 2000. V. 36. P. 2043--2044
  2. Gaska R., Yang J., Osinsky A. et al. // IEDM-97 Technical Digest. Washington DC, 1997. P. 565
  3. Gaska R., Shur M.S., Bykhovski A.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 287--289
  4. Asif Khan M., Shur M.S., Chen Q. et al. // Electronics Letters. 1994. V. 30. P. 2175--2176
  5. Daumiller D., Theron D., Caguiere C. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2001. V. 22. P. 62--64
  6. Vetury R., Zhang N.Q., Keller S. et al. // IEEE Electron Dev. 2001. V. 48. P. 560--565
  7. Klein P.B., Binari S.C., Ikossi-Anastasiou K. et al. // Electronics Letters. 2001. V. 37. P. 662--664
  8. Tarakji A., Simin G., Il'inskaya N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2169--2171
  9. Asif Khan M., Hu X., Simin G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1339--1341
  10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир, 1984. 455 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.