Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение нанокристаллических пленок кремния на подложках из полиимида с применением импульсного воздействия излучения эксимерного лазера
Ефремов М.Д.1,2, Володин В.А.1,2, Федина Л.И.1,2, Гутаковский А.А.1,2, Марин Д.В.1,2, Кочубей С.А.1,2, Попов А.А.1,2, Минаков Ю.А.1,2, Уласюк В.Н.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль ЗАО "ЭЛТАН Ltd ", Фрязино
2Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль ЗАО "ЭЛТАН Ltd ", Фрязино
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
Используя кристаллизацию аморфных пленок с применением наносекундных импульсных воздействий излучения эксимерного лазера, получены пленки поликремния на подложках из полиимида. Структурные характеристики пленок были исследованы с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей электронной микроскопии. Для применяемых режимов лазерной кристаллизации были получены нанокристаллические пленки кремния со средним размером кристаллитов 5 nm. Полученные результаты представляют интерес для разработки технологии создания приборов широкоформатной микроэлектроники (активных матриц тонкопленочных транзисторов и т. д.) на гибких недорогих подложках.
- Shur M.S., Rumyantsev S.L., Gaska R. // 10th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". 2002. P. 618--622
- Alferov Zh.I. // 10th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". 2002. Closing remarks
- Chen S., Hsieh I.C. // Solid State Technology. January 1996. N 1. P. 113--120
- Ефремов М.Д., Болотов В.В., Володин В.А. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 1. С. 109--116
- Efremov M.D., Bolotov V.V., Volodin V.V. et al. // Solid State Communications. 1998. V. 108. N 9. P. 645--648
- Gosain D.P., Noguchi T., Usui S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. N 3A/B. P. L179--L181
- Будагян Б.Г., Попов А.А., Бердников А.Е. // Тез. докл. Всерос. симпозиума "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". С.-Петербург, 5-9 июля 1998 г. С. 21--22
- Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наукова думка, 1987. 607 с
- Sameshima T., Usui S. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 3. P. 1281--1289
- Paillard V., Puech P., Laguna M.A. et al. // Journ. of Appl. Phys. 1999. V. 86. N 4. P. 1921--1925
- Kronik L., Fromherz R., Ko E., Gantefor G., Chelikowsky J. // Nature Materials. 2002. V. 1. P. 1--4
- Spinella C., Lombardo S., Priollo F. // Appl. Phys. Rev. 1998. V. 84. N 10. P. 5383--5414
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
