"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения
Васильев В.И.1, Гагис Г.С.1, Кучинский В.И.1, Хвостиков В.П.1, Марухина Е.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.gagis@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 января 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Предложена методика формирования наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на поверхностях полупроводниковых кристаллов GaAs за счет реакций твердофазного замещения. Продемонстрирован эффект широкозонного окна, проявляющийся в возрастании интенсивности фотолюминесценции обработанных пластин до 25 раз при 300 K.
  1. Крыса А.Б., Roberts, J.S., Ревин Д.Г., Kennedy K., Wilson L.R., Cocburn J.W. // Тезисы докладов Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". Санкт-Петербург, 5--7 ноября 2008 г. С. 15
  2. Андреев В.М., Хвостиков В.П., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д., Палеева Е.В., Шварц М.З. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1070--1072
  3. Андреев В.М., Воднев А.А., Ларионов В.Р., Пруцких Т.П., Румянцев В.Д., Расулов К.Я., Хвостиков В.П. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 4. С. 597--600
  4. Vasil'ev V.I., Nikitina I.P., Smirnov V.M., Tretyakov D.N. // Materials Science and Engineering. B. 1999. V. 66. N 1--3. P. 67--69
  5. Sugino T., Nozu S., Nakajima S. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2999--3001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.