Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом
Барановский М.В.1, Глинский Г.Ф.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maxim.bmw.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Разработана методика экспресс-диагностики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Создана автоматизированная установка, позволяющая на основе фотоэлектрических измерений при комнатной температуре проводить анализ относительного расположения квантовых ям в гетероструктуре, качества гетероинтерфейсов и степени локализации носителей заряда в ямах. Время измерения одной гетероструктуры составляет доли секунды. Разработанная методика имеет ряд преимуществ по сравнению с широко используемым методом вольт-фарадного профилирования структур с квантовыми ямами.
- Глинский Г.Ф. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния. СПб.: Технолит, 2008. С. 270--294
- Зубков В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: Элмор, 2007
- Кучерова О.В., Зубков В.И., Соломонов А.В., Давыдов Д.В. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 3. С. 352--357
- Зубков В.И., Яковлев И.Н., Кучерова О.В., Орлова Т.А. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2011. Т. 75. N 10. С. 1491--1497
- Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 5. С. 608--613
- Pikhtin A.N., Komkov O.S., Bugge F. // Phys. stat. sol. A. 2005. V. 202. N 7. P. 1270--1274
- Барановский М.В., Глинский Г.Ф. // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2012. N 4/2012. С. 3--7
- Барановский М.В., Глинский Г.Ф., Миронова М.С. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 1. С. 60--64
- Барановский М.В., Глинский Г.Ф. Пат. 117714 РФ, МПК H01L21/66, приоритет 09.12.2011
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.