Вышедшие номера
Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом
Барановский М.В.1, Глинский Г.Ф.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maxim.bmw.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Разработана методика экспресс-диагностики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Создана автоматизированная установка, позволяющая на основе фотоэлектрических измерений при комнатной температуре проводить анализ относительного расположения квантовых ям в гетероструктуре, качества гетероинтерфейсов и степени локализации носителей заряда в ямах. Время измерения одной гетероструктуры составляет доли секунды. Разработанная методика имеет ряд преимуществ по сравнению с широко используемым методом вольт-фарадного профилирования структур с квантовыми ямами.