Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи основного состояния экситона из пространственно-разделенных электрона и дырки (дырка движется в объеме полупроводниковой квантовой точки, а электрон локализован на внешней сферической поверхности раздела квантовая точка - диэлектрическая матрица) по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах сульфида кадмия и селенида цинка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.