Волнообразные микроструктуры, формируемые на границе раздела SiO2/Si при воздействии мощного ионного пучка
Ковивчак В.С.1,2, Панова Т.В.1,2, Кривозубов О.В.1,2, Давлеткильдеев Н.А.1,2, Князев Е.В.1,2
1Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского
2Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН
Email: kvs@univer.omsk.su
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Исследовано образование волнообразных микроструктур на поверхности монокристаллического кремния со слоем собственного оксида различной толщины при воздействии мощного ионного пучка наносекундной длительности. Описаны морфологические особенности возникающих структур в зависимости от толщины слоя оксида и плотности тока ионного пучка. Рассмотрены возможные механизмы их формирования.
- Yaddaden C., Djemaa A., Belaroussi Y., Kerdja T., Gabouze N., Keffous A., Guerbous L. // Optics Communications. 2011. T. 284. N 13. P. 3308-3310
- Medvid A., Dmitruk I., Onufrijevs P., Pundyk I. // Microelectronics Journal. 2009. V. 40. N 3. P. 449-451
- Ковивчак В.С., Панова Т.В., Кривозубов О.В., Давлеткильдеев Н.А. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 24. С. 88-94
- Ковивчак В.С., Панова Т.В., Бурлаков Р.Б. // Поверхность. 2006. N 3. C. 70-71
- Yu J.J., Zhang J.Y., Boyd I.W., Lu Y.F. // Appl. Phys. A. 2001. V. 72. N 1. P. 35-39
- Lu Y.F., Yu J.J., Choi W.K. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 23. P. 3439-3440
- Ковивчак В.С., Панова Т.В., Михайлов К.A. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 23. С. 55-61
- Таблицы физических величин / Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук