Влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность светодиодов InAsSb/InAs
Кудрик Я.Я.1, Зиновчук А.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, Киев, Украина Житомирский государственный университет им. И. Франко, Житомир, Украина
Email: zinovchuk.a@zu.edu.ua
Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Исследовано влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность (ВКЭ) светодиодов InAsSb/InAs среднего инфракрасного (ИК) диапазона (lambda=3-5 mum). Расчет на основе модифицированной модели рекомбинационных коэффициентов показывает, что токовая локализация приводит к значительному уменьшению ВКЭ светодиодов. Эффект уменьшения становится особенно заметным в более длинноволновых светодиодах (23% для lambda=3.4 mum и 39% для lambda=4.2 mum). Представленные результаты свидетельствуют о том, что токовую локализацию необходимо принимать во внимание как один из дополнительных нетермических механизмов падения эффективности в ИК-светодиодах.
- Guo X., Schubert E.F. // J. Appl. Phys. 2001. V. 85. N 8. P. 4191--4195
- Fletcher R.M., Kuo C.P., Osentowski T.D., Huang K.H., Craford M.G., Robbins V.M. // J. Electron. Mater. 1991. V. 20. N 12. P. 1125--1130
- Malyutenko V.K., Malyutenko O.Yu., Podoltsev A.D., Kucheryavaya I.N., Matveev В.А., Remennyi M.A., Stus N.M. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 25. P. 4228--4230
- Malyutenko V.K., Zinovchuk A.V., Malyutenko O.Yu. // Semicond. Sci. Technol. 2008. V. 23. N 9. P. 085004
- Evstratov I.Yu., Mymrin V.F., Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 1645--1648
- Joyce W.B., Wemple S.H. // J.Appl. Phys. 1970. V. 41. N 9. P. 3818--3830
- Perks R.M., Porch A., Morgan D.V., Kettle J. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. N 8. P. 083109
- Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Молчанова Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 980--984
- Matveev B., Zotova N., Karandashov S., Remennyi M., Il'inskaya N., Stus N., Shustov V., Talalakin G., Malinen J. // IEE Proc. Optoelectron. 1998. V. 145. N 5. P. 254--256
- Shockley W. // Bell Sys. Tech. J. 1949. V. 28. N 3. P. 435--489
- Garbuzov D.Z. // J. Luminescence. 1982. V. 27. N 1. P. 109--112
- Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 9. С. 1670--1673
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
