Вышедшие номера
Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
Мынбаева М.Г.1,2, Николаев А.Е.1,2, Ситникова А.А.1,2, Золотарева Р.В.1,2, Мынбаев К.Д.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Приводятся результаты экспериментов по гомоэпитаксии нитрида галлия на подложки с наноструктурированным объемом. Впервые сообщается о механизме, позволяющем исключить дислокации подложки из числа источников прорастающих дислокаций в наращиваемых на ней гомоэпитаксиальных слоях.