Вышедшие номера
Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам
Большаков А.Д.1, Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: acr1235@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Проведен теоретический анализ эволюции во времени ансамбля GaAs полупроводниковых наноигл, выращиваемых на рассогласованных подложках (Si или сапфир). Расчет выполнен в предположении гауссового закона нуклеации наноиглы и постоянства ее формы в ходе дальнейшего роста. Определена функция распределения наноигл по размерам в различные моменты времени. Полученные результаты могут использоваться при оптимизации ростовых методик для получения ансамблей наноигл с заданной морфологией.