На основе фоточувствительных крупноблочных пленок теллурида кадмия p-типа с удельным сопротивлением rho~ 10⁶-10⁷Omega· cm создана Al- p-CdTe-Mo-структура с барьером Шоттки, которая обладает свойствами инжекционного фотодиода. При пропускном направлении тока (когда "+" приложен к молибденовому контакту) и высоких уровнях освещенности она имеет токовую чувствительность S_lambda~ 2.6 A/W при lambda=0.625 mum, которая в 5 раз превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.