Инжекционный фотодиод на основе p-CdTe
Мирсагатов Ш.А., Утениязов А.К.
Email: abat-62@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.
На основе фоточувствительных крупноблочных пленок теллурида кадмия p-типа с удельным сопротивлением rho~ 106-107Omega· cm создана Al- p-CdTe-Mo-структура с барьером Шоттки, которая обладает свойствами инжекционного фотодиода. При пропускном направлении тока (когда "+" приложен к молибденовому контакту) и высоких уровнях освещенности она имеет токовую чувствительность Slambda~ 2.6 A/W при lambda=0.625 mum, которая в 5 раз превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения.
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1980. С. 164--176
- Викулин И.М., Курмашев Ш.Д., Стафеев В.И. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 1. С. 113--127
- Pugh J.R., Mao D., Zhang J., Heben M.J., Nelson A.J., Frank A.J. // J. Appl. Phys. 2009. V. 74. N 4. P. 2619--2625
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир. 1984. С. 282--270. (Sze S.M. Physics of sermiconductor devices. NY.: A Willey Inerscience Publication, 1981)
- Георгиу В.Г. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводинков. Кишинев: Штиинца, 1987. C. 64
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. С. 149. ( Milnes A.G., Feucht D.L. Heterojunctions and metal--semiconductors. N.Y., London: Acad. Press, 1972)
- Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. В. 8. С. 1631--1639
- Zanio K. // Semiconductors and Semimetals. N 13. N.Y.: Acad. Press, 1978. P. 210
- Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М.: Сов. радио, 1970. С. 167--170. ( Ambroziak A. Konstrukcja i technologia przyrzadow fotoelektrycznych. Warszawa, 1967)
- Мирсагатов Ш.А., Музафарова С.А., Баиев М.С., Ачилов А.С. // Узбекский физический журнал. 2009. В. 3. С. 154--160
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук