Об увеличении параметров фоточувствительности малоразмерных фотоприемников ИК-излучения
Поступила в редакцию: 23 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Рассматриваются конструкция и принцип работы ИК-фотоприемника, имеющего размеры сечения проводящего слоя, намного меньшие длины собирания неосновных носителей, фотогенерированных в периферийных областях с противоположным типом проводимости. Показана потенциальная возможность реализации очень высоких параметров фоточувствительности, ограниченных термической генерацией, и значительного снижения потребляемой мощности.
- Antoni Rogalski // Infrared Physics \& Technology. 2002. V. 43. P. 187--210
- Risal Singh, Vardan Mittal // Defence Science J. 2003. V. 53. N 31. P. 281--324
- Неустроев Л.Н., Осипов В.В. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 6. С. 1062--1077
- Фотоприемники видимого и ИК-диапазонов. / Под ред. Р. Дж. Киесса. М.: Радио и связь, 1985. 328 c
- Voitsechovski A.V., Grigoriyev D.V., Talipov M.Kh. // Rassian Physical J. 2008. V. 51. N 10. P. 1001--1015
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.