Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на системах с квантовыми точками эллипсоидальной формы
Пунегов В.И.1, Сивков Д.В.1, Кладько В.П.1
1Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев, Украина
Email: vpunegov@dm.komisc.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Разработана теория диффузного рассеяния на полупроводниковых системах с квантовыми точками (КТ) эллипсоидальной формы. Для вычисления упругих деформаций вне КТ использован метод разложения по мультиполям. Выражение для поля атомных смещений представлено с точностью до квадрупольного члена разложения. В рамках данного подхода получено аналитическое решение для диффузного рассеяния от кристаллической среды с эллипсоидальными включениями. Проведено численное моделирование карт распределения интенсивности рассеяния в обратном пространстве для разных отношений высоты и латерального радиуса квантовой точки.
- Springholz G., Holy V. Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots. Berlin: Springer, 2007. P. 247--303
- Фалеев Н.Н., Павлов К.М., Пунегов В.И., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Устинов В.М., Tabuchi M., Takeda Y. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 11. С. 1359--1368. Faleev N.N., Egorov A.Yu., Zgukov A.E., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Punegov V.I., Pavlov K.M., Tabuchi M., Takeda Y. // Semiconductors. 1999. V. 33. N 11. P. 1229--1237
- Пунегов В.И. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 20. С. 8--14; Punegov V.I. // Tech. Phys. Lett. 2008. V. 34. P. 864--866
- Пунегов В.И., Фалеев Н.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т. 92. В. 7. С. 483--489; Punegov V.I., Faleev N.N. // JETP Letters. 2010. V. 92. N 7. P. 437--443
- Maranganti R., Sharma P. // Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology. N.Y.: Amer. Sci. Publishers, 2005. V. 1. P. 1--44
- Darhuber A.A., Schittenhelm P., Holy V., Stangl J., Bauer G., Abstreiter G. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. 15652--15663
- Holy V., Darhuber A.A., Stangl J., Zerlauth S., Schaffler F., Bauer G., Darowski N., Lubbert D., Pietsch U., Vavra I. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 7934--7943
- Bauer G., Darhuber A.A., Holy V. // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. P. 197--209
- Yang M., Sturm J.C. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 1973--1980
- Blokland J.H., Bozkurt M., Ulloa J.M., Reuter D., Wieck A.D., Koenraad P.M., Cristianen P.C.M., Maan J.C. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 093107 (1--3)
- Nenashev A.V., Dvurechenskii A.V. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 064322 (1--8)
- Ekstein H. // Phys. Rev. 1945. V. 68. N 5--6. P. 120
- Пунегов В.И. // Кристаллография. 2009. В. 54. С. 423--431; Punegov V.I. // Crystallography Reports. 2009. V. 54. P. 391--398
- Eshelby J.D. // Proc. R. Soc. London. 1959. V. A252. P. 561--569
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук