Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 8 » Статья стр. 7
<<<>>>
Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодов под действием импульсов прямого тока
Левинштейн М.Е.1,2, Иванов П.А.1,2, Palmour J.W.1,2, Agarwal A.K.1,2, Das М.К.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Email: melev@nimis.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
PDF версия
Деградация карбидкремниевых диодов под действием прямого тока впервые исследована в импульсном режиме. Показано, что при длине токовых импульсов, меньшей нескольких миллисекунд, деградация оказывается существенно меньшей, чем в режиме постоянного тока при одинаковом заряде, протекшем через диодную структуру. Впервые наблюдалось также частичное самовосстановление (уменьшение деградации со временем) при комнатной температуре.
  1. Sugawara Y., Takayama D., Asano K., Singh R., Palmour J., Hayashi T. // Proc. of 13th Intern. Symposium on Power Semiconductor Devices \& ICs. Osaka, Japan, 2001. P. 27--30
  2. Levinstein M., Ivanov P., Boltovets M., Krivutsa V., Palmour J., Das M., Hull B. // Materials Science Forum. 2006. V. 527--529. P. 1339--1343
  3. Levinshtein M., Rumyantsev S., Mnatsakanov T., Agarwal A., Palmour J. // SiC thyristors (in SiC Materials and Devices). Singapore--New Jersey--London--Hong Kong, World Scientific Pub. Company, 2006
  4. Galeckas A., Hallen A., Majdi S., Linnros J., Pirouz P. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 233 203
  5. Gossik B. // J. Appl. Phys. 1956. V. 27. P. 905--912
  6. Schlangenotto H., Gerlach W. // Solid-State Electron. 1972. V. 15. P. 393--399
  7. Skowronski M., Hab S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 011 101
  8. Caldwell J., Stahlbush R., Imhoff E., Hobart K., Tadjer M., Zhang Q., Agarwal A. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 044 504
  9. Caldwell J., Stahlbush R., Hobart K., Glembocki O., Liu K. // J. Appl. Phys. 2007. V. 90. P. 143 519
  10. Rumyantsev S., Levinshtein M., Shur M., Palmour J., Agarwal A., Das M. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 024 508

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme