Вышедшие номера
Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC
Лебедев А.А.1, Абрамов П.Л.1, Богданова Е.В.1, Лебедев С.П.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Трегубова А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.