Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC
Лебедев А.А.1, Абрамов П.Л.1, Богданова Е.В.1, Лебедев С.П.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Трегубова А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.
- Лебедев А.А., Абрамов П.Л., Зеленин В.В., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С. // ФТП. 2007. Т. 41. С. 273
- Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Лебедев С.П., Смирнов А.Н., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Yakimova R. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 12. С. 61
- Lebedev A.A., Bogdanova E.V., Abramov P.L., Lebedev S.P., Nel'son D.K., Oganesyan G.A., Tregubova A.S., Yakimova R. // Semiconductor Science Technology. 2008. V. 23. P. 075004
- Savkina N.S., Davydov D.V., Strel'chuk A.M., Tregubova A.S., Raynauld C., Chante J.P., Locatelli M.L., Planson D., Millan J., Godignon P., Campos F.J., Nestres N., Pascual J., Badila M., Brereanu G. // Mat. Science \& Eng. 2000. V. B 77. P. 50
- Алтайский Ю.М., Авраменко С.Ф., Гусева О.А., Киселев В.С. // ФТП. 1987. Т. 21. С. 2072
- Freitas J.A., Moore Jr. and W.J. // Brazilian J. of Physics. 1998. V. 28. P. 12
- Lorenzz J., Zoulis G., Kim-Hak O., Jegenyes N., Carole D., Cauwet F, Julliaquet S, Camassel J. Abstracts Mo-P-12. ICSCRM-09. Nyrnberg, Germany (10--17 october 2009)
- Camassel J., Juillaguet S., Zeilinski M., Balloud C. // Chem. vap. Deposition. 2006. V. 12. P. 549.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.