"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1, Афанасьев А.М.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 2 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов, ~2.5·1013 cm-2, энергетической плотности указанных ПС --- 2·1014-1015 cm-2·eV-1. Оценены значения равновесного уровня Ферми --- 1.25 eV ниже дна зоны проводимости и значения квазиравновесного уровня Ферми в процессе работы ТП ЭЛИ 0.6-1.25 eV.
  • Muller G.O., Mach R., Selle B., Schulz G. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 110. P. 657--669
  • Bringuier E. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 3. P. 1314--1325
  • Bringuier E. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 9. P. 4291--4312
  • Wager J.F., Hitt J.C., Baukol B.A., Bender J.P., Keszler D.A. // J. Luminescence. 2002. V. 97. N 1. P. 68--81
  • Krasnov A.N. // Thin Solid Films. 1999. V 347. P. 1--13
  • Гурин Н.Т., Рябов Д.В., Сабитов О.Ю., Афанасьев А.М. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 3. С. 79--85
  • Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 949--961
  • Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Афанасьев А.М. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 10. С. 1168--1177.
  • Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, гл. ред. физ.-мат. литературы, 1971. 486 с
  • Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с
  • Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 8. С. 692--705.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.