"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF2/CaF2/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона
Акимов А.Н.1,2, Беленчук А.В.1,2, Климов А.Э.1,2, Качанова М.М.1,2, Неизвестный И.Г.1,2, Супрун С.П.1,2, Шаповал О.М.1,2, Шерстякова В.Н.1,2, Шумский В.Н.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной инженерии и промышленных технологий АН Молдовы, Кишинев, Республика Молдова
Email: neizv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288x 2 с размером элемента 25x 25 mum на основе структур PbSnTe : In/BaF2/CaF2/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7.2· 1012 до 8.7· 1012 cm· Hz0.5/W при T=21.2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона. PACS: 81.15.Hi, 85.60.Gz
  • Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. Новосибирск: Наука, 2001. С. 376
  • Zogg H., Maissen S., Masek J., Hoshino T., Blunier S. // Mat. Res. Symp. Proc. 1991. P. 373
  • Zogg Р., Maissen S., Masek J., Hoshino T., Blunier S., Niwari A.N. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 36
  • Васильева Л.Ф., Петиков Н.И., Климов А.Э., Шумский В.Н. // Неорганические материалы. 2001. V. 37. С. 193.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.