Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF2/CaF2/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт электронной инженерии и промышленных технологий АН Молдовы, Кишинев, Республика Молдова
2Институт электронной инженерии и промышленных технологий АН Молдовы, Кишинев, Республика Молдова
Email: neizv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288x 2 с размером элемента 25x 25 mum на основе структур PbSnTe : In/BaF2/CaF2/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7.2· 1012 до 8.7· 1012 cm· Hz0.5/W при T=21.2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона. PACS: 81.15.Hi, 85.60.Gz
- Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. Новосибирск: Наука, 2001. С. 376
- Zogg H., Maissen S., Masek J., Hoshino T., Blunier S. // Mat. Res. Symp. Proc. 1991. P. 373
- Zogg Р., Maissen S., Masek J., Hoshino T., Blunier S., Niwari A.N. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 36
- Васильева Л.Ф., Петиков Н.И., Климов А.Э., Шумский В.Н. // Неорганические материалы. 2001. V. 37. С. 193.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
