Вышедшие номера
Трансформация электрических свойств InAs p-n-переходов в результате ультразвуковой обработки
Сукач А.В.1, Тетеркин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: teterkin@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 20 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследовано влияние высокочастотной (f=5 MHz) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p-n-переходов при температуре T=77 K. Установлено, что наиболее чувствительной к УЗО является туннельная компонента тока, предположительно связанная с каналами повышенной проводимости, локализованными около дислокаций. Менее чувствительной к УЗО оказалась компонента тока, определяемая рекомбинацией носителей в области пространственного заряда (ОПЗ), свободной от дислокаций. Обнаружена тенденция к восстановлению электрических параметров p-n-переходов при длительном хранении образцов в лабораторных условиях. Обсуждаются возможные модели влияния УЗО на электрические характеристики InAs p-n-переходов. PACS: 72.50.+b