Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Трансформация электрических свойств InAs p-n-переходов в результате ультразвуковой обработки
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: teterkin@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 20 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Исследовано влияние высокочастотной (f=5 MHz) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p-n-переходов при температуре T=77 K. Установлено, что наиболее чувствительной к УЗО является туннельная компонента тока, предположительно связанная с каналами повышенной проводимости, локализованными около дислокаций. Менее чувствительной к УЗО оказалась компонента тока, определяемая рекомбинацией носителей в области пространственного заряда (ОПЗ), свободной от дислокаций. Обнаружена тенденция к восстановлению электрических параметров p-n-переходов при длительном хранении образцов в лабораторных условиях. Обсуждаются возможные модели влияния УЗО на электрические характеристики InAs p-n-переходов. PACS: 72.50.+b
- Здебский А.П., Лисянский М.И., Лукъянченко Н.Б. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 16. С. 1009--1013
- Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 4. С. 503--508
- Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 1. С. 54--66
- Олих О.Я., Пинчук Т.Н. // Там же. Т. 32. В. 12. С. 22--27
- Гусейнов Н.А., Олих Я.М., Аскеров Ш.Г. // Там же. Т. 33. В. 1. С. 38--44
- Гранато А., Люкке К. // Физическая акустика / Под ред. У. Мезена. М.: Мир, 1969. Т. 4. Ч. А. С. 261--321
- Островский И.В. Акустолюминесценция и дефекты кристаллов. Киев: Вища школа, 1993. С. 174--202
- Баранский П.И., Беляев А.Е., Комиренко С.М. // ФТП. 1989. Т. 31. В. 9. С. 278--281
- Олих О.Я., Островский И.В. // ФТП. 2002. Т. 44. В. 7. С. 1198--1202
- Сукач А.В., Олейник Г.С., Тетеркин В.В. и др. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев: Наукова думка, 2005. В. 40. С. 248--257
- Sukach A., Tetyorkin V., Olijnik G. et al. // Proc. SPIE. 2005. V. 5957. P. 212--219
- Брук А.С., Говорков А.В., Колесник Л.И. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 8. С. 1510--1512
- Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104 с
- Константинов О.В., Мезрин О.А. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 2. С. 305--311
- Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. С. 415--433
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
